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高速InGaAs光電二極管FD-100系列

簡要描述:Fermionics FD100 系列為 100 μm 有源區 InGaAs PIN 光電二極管,面向 1310/1550 nm 中高速通信與測試,以大光斑耦合、低暗電流、亞納秒響應與多樣封裝為核心,適合 10G/25G/40G ROSA、高速光模塊與儀器接收端,兼顧耦合容差與成本。高速InGaAs光電二極管FD-100系列

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2025-12-25
  • 訪  問  量:86
詳細介紹
品牌昊量光電產地類別進口
應用領域綜合

高速InGaAs光電二極管FD-100系列


fermionics是一家獨立的InGaAs光電二極管制造商,用于光通信、測試儀器、傳感等應用。在費米公司,我們專注于質量、及時交付和客戶設計要求,致力于滿足多樣化客戶群的需求。該公司于1991年在加利福尼亞州成立并注冊成立。


Fermionics FD100 系列為 100 μm 有源區 InGaAs PIN 光電二極管,面向 1310/1550 nm 中高速通信與測試,以大光斑耦合、低暗電流、亞納秒響應與多樣封裝為核心,適合 10G/25G/40G ROSA、高速光模塊與儀器接收端,兼顧耦合容差與成本。


(FD100W圖片)


高速InGaAs光電二極管FD-100系列核心原理與結構:


  • 平面鈍化 PIN,寬帶增透膜,響應 900–2600 nm,典型 1310/1550 nm。

  • 反向偏置耗盡層吸收光子,低電容支撐 GHz 級帶寬與亞納秒上升 / 下降。

  • 速度由結電容與負載決定,50 μm 較 80 μm 更小,帶寬更高、耦合更精準。


高速InGaAs光電二極管 FD-100系列性能優勢:


  • 超高速低噪聲:0.25–0.4 pF、100–200 ps,適合 40G/100G/200G 與高速測試。

  • 低回損可選:尾纖端面斜切(如 8°),回損≥40 dB,減少系統反射噪聲。

  • 靈活集成:TO、陶瓷襯底、表面貼裝、尾纖 / 連接器,適配原型到量產。

  • 工業可靠:-40 至 + 85 °C,高穩定性,適合戶外與數據中心。


高速InGaAs光電二極管 FD-100系列應用場景:


  • 超高速光通信:40G/100G/200G ROSA、相干接收、數據中心 DCI,1310/1550 nm 鏈路。

  • 高速測試儀器:誤碼儀、光示波器、采樣示波器、矢量網絡分析儀,低噪聲與亞納秒響應。

  • 微波光子學:光生微波、光電混頻、ROF 系統,低電容與高線性。

  • 傳感與醫療:近紅外光譜、光纖傳感、激光雷達,寬波長與低暗電流。


高速InGaAs光電二極管 FD-100系列選型建議:


  • 超高速通信:選 FD50S8?F/F8,尾纖 / 連接器耦合,低回損,適配 ROSA 與相干接收。

  • 測試儀器:FD50W/FD50L,平窗 / 球透鏡,易與準直光 / 自由空間系統對接。

  • 高頻 PCB:FD50S2/S3,陶瓷襯底,低熱阻、低寄生,支持表面貼裝。

  • 低回損:指定尾纖端面斜切(如 8°),回損≥40 dB,減少系統抖動與誤碼。


FD100系列產品類型:



FD100W100微米有源直徑InGaAs光電二極管安裝在TO18接口內,配有平坦的AR涂層窗口
FD100L100微米有源直徑InGaAs光電二極管安裝在TO46接口內,帶球形透鏡
FD100S2100微米活性直徑InGaAs光電二極管安裝在S2型氧化鋁陶瓷子支架上
FD100S3100微米活性直徑InGaAs光電二極管安裝在S3型氧化鋁陶瓷子支架上
FD100FC100微米有源直徑InGaAs光電二極管,置于TO46插頭,帶對焦鏡頭,校準于帶2孔法蘭的FC連接器插座內
FD100FCB100微米有源直徑InGaAs光電二極管,置于TO46接口,帶對焦鏡頭,并安裝在PCB/面板安裝的FC連接器插座中
FD100SC100微米有源直徑InGaAs光電二極管,置于TO46插頭,帶對焦鏡頭,并對齊于PCB/面板式SC連接器插座中
FD100ST100微米主動直徑InGaAs光電二極管,置于TO46頭段,帶對焦鏡頭,校準于Radiall ST插座
FD100F-(光纖類型/連接器)TO46軸向封裝尾線組件中的100微米活性直徑InGaAs光電二極管??蛇x定制光纖和連接器終端。
FD100F8-(光纖類型/連接器)TO46軸向封裝尾線組件中的100微米活性直徑InGaAs光電二極管。內部纖維拋光角度為8°,以實現低背反射。提供定制單模光纖和連接器終端。



FD100 芯片系列規格表:



ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C)
PARAMETERRATINGUNITS
Storage Temperature- 40 to +100
Operating Temperature- 40 to +85
Forward Current5

mA

Reverse Current0.5mA
Reverse Voltage30V



Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C)
ParameterTest ConditionsMinTypMaxUnits
Responsivity(R)λ = 1300 nm
λ = 1550 nm
0.80
0.85
0.90
0.95

A/W
dark current(Id)Vr = 5V  
0.53nA
Rise / Fall Time(Tr / Tf)Vr = 5V  
0.30.7ns
Capacitance(C)Vr = 5V  
1.11.5pF


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