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F3A模擬磁場傳感器/模擬高斯計(jì)F3B
昊量光電全新推出的F3A模擬磁場傳感器/模擬高斯計(jì)F3B表示一系列磁場-電壓傳感器，帶有集成的三軸霍爾探頭。
霍爾探頭包含一個(gè) cmos 集成電路，其中集成了三組相互正交的霍爾元件、偏置電路、放大器和溫度傳感器。集成霍爾元件所占面積非常小（150 x 150 µm2），因此探頭的空間分辨率非常高。CMOS 集成電路技術(shù)使垂直和水平霍爾元件的制造精度非常高，從而使探頭的三個(gè)測量軸具有很高的角度精度（正交誤差小于 1°，測定精度優(yōu)于 0.1°）。
集成磁探頭將高精度磁場測量所需的所有元件集成在單個(gè)芯片上，是一種超高性能磁性檢測設(shè)備。
磁探頭（模塊H）所連接的控制電路（模塊E）是根據(jù)各種磁探頭負(fù)責(zé)產(chǎn)生偏置電流、放大、線性度校正、偏移調(diào)整、頻帶限制等的控制電路。 從E模塊，每個(gè)軸輸出（差分）與檢測到的磁通密度成比例的電壓。 它還輸出與探頭溫度成比例的電壓。
F3A模擬磁場傳感器 模擬高斯計(jì)F3B是一款僅有的集成的 3 軸磁傳感器，可以在單個(gè)點(diǎn)檢測三個(gè)方向的磁通密度，從而實(shí)現(xiàn)高精度的 3 軸測量。
由于典型的3軸特斯拉計(jì)/高斯計(jì)是通過在磁探頭布置三個(gè)磁傳感器來制造的，因此每個(gè)磁傳感器具有不同的位置來檢測磁性，因此無法檢測準(zhǔn)確的磁矢量。
這個(gè)問題的解決方案是一個(gè)集成的3軸磁傳感器。
配備該傳感器的特斯拉計(jì)/高斯計(jì)可以在所有條件下測量精確的 3D 矢量，例如永磁體的接近磁場、小線圈產(chǎn)生的磁場以及以前無法實(shí)現(xiàn)的時(shí)間變化。
F3A模擬磁場傳感器/ 模擬高斯計(jì)F3B產(chǎn)品特點(diǎn)：
集成的CMOS三軸霍爾探頭(Bx, By, Bz)，其中一個(gè)，兩個(gè)或三個(gè)通道使用
空間分辨率比：0.03 x 0.005 x 0.03 mm3;Bx & Bz: 0.15 x 0.01 x 0.15 mm3
角精度高:探頭三個(gè)測量軸之間的正交誤差為＜±1°
采用改進(jìn)的測量算法，測量精度優(yōu)于0.1°
高頻帶寬:蕞大DC ~ 25khz (-3 dB)
極低的平面霍爾電壓
探頭內(nèi)集成溫度傳感器，進(jìn)行溫度補(bǔ)償
探頭上的感應(yīng)回路可忽略不計(jì)
F3A模擬磁場傳感器/ 模擬高斯計(jì)F3B典型應(yīng)用
永磁體的表征和質(zhì)量控制
磁體系統(tǒng)的開發(fā)
繪制磁場地圖
磁體系統(tǒng)（發(fā)電機(jī)、電機(jī)等）的質(zhì)量控制和監(jiān)控
應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線
F3A模擬磁場傳感器/ 模擬高斯計(jì)F3B探頭參數(shù)：
| Hall Probe Type: | 類型 | External Dimensions（外殼尺寸）: L x W x H (mm) | 特點(diǎn) | |
Type A 1)
| 堅(jiān)固型 | 長度：16.5 寬度：5.0 厚度：2.3 | 探頭表面到傳感器傳感器 的距離：1.0±0.1mm |
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Type C 2)
| 高溫測量型 | 長度：8.0 寬度：4.0 厚度：0.9 | 探頭表面到傳感器傳感器 的距離：0.45±0.05mm 溫度 范圍：-40°C~+155°C |
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Type H 3)
| 長型1 | - HL長度：71 - HM長度：47 - HS長度：8 寬度：2.0 厚度：1.1 |
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Type K 4)
| 長型2 | - KL長度：71 - KM長度：47 - KS長度：8 寬度：2.0 厚度：0.5 |
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Type L 5)
| 長型3 | -LL長度：71 -LM長度：47 -LS長度：8 寬度：0.64 厚度：0.28 |
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